Vishay P沟道MOS管, Vds=30 V, 25.7 A, SO-8, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 256-7361
- 制造商零件编号:
- SI4101DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB5.484 | RMB27.42 |
| 50 - 95 | RMB5.208 | RMB26.04 |
| 100 - 245 | RMB4.948 | RMB24.74 |
| 250 - 995 | RMB4.70 | RMB23.50 |
| 1000 + | RMB4.47 | RMB22.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7361
- 制造商零件编号:
- SI4101DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 25.7 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 25.7 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SO-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
Vishay Semiconductor P 通道 30 V (D-S) mosfet 25.7A (Tc) 6W (Tc) 具有表面安装,带 8-SOIC 封装类型,其应用包括适配器开关、负载开关、电源管理、笔记本电脑和便携式电池组。
TrenchFET 功率 Mosfet
100% Rg 和 UIS 测试
表面安装在 1 x 1 FR4 板上
100% Rg 和 UIS 测试
表面安装在 1 x 1 FR4 板上