Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 25.7 A, SO-8, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 256-7361P
- 制造商零件编号:
- SI4101DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB5.208 |
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| 250 - 995 | RMB4.70 |
| 1000 + | RMB4.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7361P
- 制造商零件编号:
- SI4101DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25.7A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.75mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor P 通道 30 V (D-S) mosfet 25.7A (Tc) 6W (Tc) 具有表面安装,带 8-SOIC 封装类型,其应用包括适配器开关、负载开关、电源管理、笔记本电脑和便携式电池组。
TrenchFET 功率 Mosfet
100% Rg 和 UIS 测试
表面安装在 1 x 1 FR4 板上