Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 2.4 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI4948BEY-T1-E3, Si4948BEY系列

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包装方式:
RS 库存编号:
256-7363P
制造商零件编号:
SI4948BEY-T1-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.4A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOIC

系列

Si4948BEY

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4Ω

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14.5nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

1.75mm

标准/认证

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

汽车标准

Vishay Semiconductor 双 p 通道 175° mosfet iTime 无卤。

TrenchFET 功率 Mosfet

符合 RoHS 指令 2002/95/EC

表面安装在 1 x 1 FR4 板上

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。