Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 25 A, PowerPAK ChipFET, 表面安装, 8引脚, SI5442DU-T1-GE3, SI5442DU系列
- RS 库存编号:
- 256-7365
- 制造商零件编号:
- SI5442DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- SI5442DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | SI5442DU | |
| 包装类型 | PowerPAK ChipFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0135Ω | |
| 最大功耗 Pd | 31W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.6nC | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 SI5442DU | ||
包装类型 PowerPAK ChipFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0135Ω | ||
最大功耗 Pd 31W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.6nC | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 0.85mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SI5442DU系列MOSFET,20 V最大漏源电压,25 A最大连续漏电流 - SI5442DU-T1-GE3
这款 MOSFET 是一款紧凑型 N 通道开关设备,适用于表面贴装电源应用。它设计用于处理显著的连续电流,同时在宽温度范围内运行,适用于需要低传导损耗和快速开关的工业控制和电力转换环境。
特性和优点：
• 25A 连续电流能力可实现高电流开关
• 0.0135 Ω Rds(on) 可最大程度地减少电源路径中的传导损耗
• 20 V 漏源额定值支持低电压电源导轨
• 16.6 nC 典型栅极电荷,可实现高效的开关控制
• 31W 功耗支持持久热负载处理
• Vgs 最大 8 V 可在驱动过程中保护栅极免受过电压影响
• 0.0135 Ω Rds(on) 可最大程度地减少电源路径中的传导损耗
• 20 V 漏源额定值支持低电压电源导轨
• 16.6 nC 典型栅极电荷,可实现高效的开关控制
• 31W 功耗支持持久热负载处理
• Vgs 最大 8 V 可在驱动过程中保护栅极免受过电压影响
应用
• 适用于自动化系统中的电机驱动功率级
• 特别适用于直流-直流电源中的同步降压转换器
• 用于工业控制系统中的高电流负载开关
• 可用于电池供电设备的电源管理
• 特别适用于直流-直流电源中的同步降压转换器
• 用于工业控制系统中的高电流负载开关
• 可用于电池供电设备的电源管理
在设计过程中,应考虑哪些热操作限值?
该设备的额定工作温度范围为 -55 °C 至 +150 °C,因此热管理必须确保在峰值功率条件下的接点温度保持在此范围内。
电路板上需要多少引脚和哪种安装方式?
它采用 8 引脚表面贴装 PowerPAK ChipFET 封装,因此垫布局和焊接轮廓应匹配 8 引脚 SMD 封装。
哪些栅极驱动限制会影响驱动电路选择?
栅极不得驱动超过最大 8 V,因此栅极驱动器和电平移位必须将 Vgs 限制在该阈值范围内,以避免损坏。
设计人员如何评估高频使用的开关性能?
在指定的栅极电压下,使用典型的栅极电荷值为 16.6 nC,在确定目标开关频率的效率时计算驱动器能量和开关损耗。