Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 25 A, PowerPAK ChipFET, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 256-7367P
- 制造商零件编号:
- SI5448DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB3.993 |
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| 250 - 975 | RMB3.603 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7367P
- 制造商零件编号:
- SI5448DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerPAK ChipFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerPAK ChipFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.85mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道 Mosfet 表面安装 powerPAK 芯片单路。
TrenchFET gen IV 功率 Mosfet
100% Rg 和 UIS 测试
热增强型 powerPAK chipFET 封装
紧凑型印迹面积小于 6.09 mm2
薄型 0.8 mm 轮廓
与前一代相比,RDS(ON) 低 56%