Vishay N型, P型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 4 A, 1206-8 ChipFET, 表面安装, SI5504BDC-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 256-7371
- 制造商零件编号:
- SI5504BDC-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB10.422 | RMB52.11 |
| 50 - 95 | RMB9.90 | RMB49.50 |
| 100 - 245 | RMB9.406 | RMB47.03 |
| 250 - 995 | RMB8.94 | RMB44.70 |
| 1000 + | RMB8.488 | RMB42.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7371
- 制造商零件编号:
- SI5504BDC-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | 1206-8 ChipFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 1206-8 ChipFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor Nand P 通道 30 V (D-S) mosfet 4A、3.7A 3.12W、3.1W 表面安装,其应用为直流、直流,用于便携式应用负载开关。
TrenchFET 功率 Mosfets
无铅 (Pb) 和无卤素)
表面安装在 1 x 1 FR4 板上