制造商编号

Vishay P型, N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 4 A, ChipFET, 表面安装, 8引脚, SI5513CDC-T1-GE3

RS 库存编号:: 256-7373P
制造商零件编号:: SI5513CDC-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型, N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 4 A, ChipFET, 表面安装, 8引脚, SI5513CDC-T1-GE3

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RS 库存编号:: 256-7373P
制造商零件编号:: SI5513CDC-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型, N型
	最大连续漏极电流 Id	4A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	ChipFET
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.4Ω
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	高度	1.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型, N型
	最大连续漏极电流 Id 4A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 ChipFET
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.4Ω
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	高度 1.1mm
	汽车标准否

Datasheet - SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Semiconductor mosfet 阵列 N 和 P 通道 20V 4A、3.7A 3.1W 表面安装 1206-8 chipFET,无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义。

TrenchFET 功率 Mosfets

100% Rg 测试

符合 RoHS 指令 2002/95/EC

Vishay P型, N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 4 A, ChipFET, 表面安装, 8引脚, SI5513CDC-T1-GE3

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