Vishay N型, N型, P型, P型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 6 A, PowerPAK ChipFET, 表面, 表面安装, SI5517DU-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 256-7375
- 制造商零件编号:
- SI5517DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SI5517DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型, N型, P型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | PowerPAK ChipFET | |
| 安装类型 | 表面, 表面安装 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型, N型, P型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 PowerPAK ChipFET | ||
安装类型 表面, 表面安装 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 沟道与 P 沟道 20V (D-S) MOSFET，6A 8.3W，表面贴装，其应用为便携设备的互补 MOSFET，适用于升降压电路。
TrenchFET 功率 MOSFET
小尺寸封装面积
低导通电阻
纤薄 0.8mm 外形
100% 通过 Rg 测试