Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 6 A, PowerPAK ChipFET, 表面安装, 8引脚, SI5936DU系列
- RS 库存编号:
- 256-7377P
- 制造商零件编号:
- SI5936DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 256-7377P
- 制造商零件编号:
- SI5936DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK ChipFET | |
| 系列 | SI5936DU | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.04Ω | |
| 最大功耗 Pd | 10.4W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK ChipFET | ||
系列 SI5936DU | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.04Ω | ||
最大功耗 Pd 10.4W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
高度 0.85mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SI5936DU系列MOSFET,30 V最大漏源电压,6 A最大连续漏电流 - SI5936DU-T1-GE3
此 MOSFET 是表面贴装 N 通道晶体管,设计用于电子系统中的开关和电源管理角色。它可用作适用于紧凑型板组件的低电阻开关,在电流处理和额定电压之间实现平衡,适用于各种工业控制和电源转换任务。
特性和优点：
• 30V 额定值可实现控制电路中间电压切换 • 6 A 连续漏电流支持中等负载电流 • 0.04Ω Rds(on)可减少运行过程中的导电损耗 • 3.5nC 典型栅极电荷,用于快速、低能量切换 • 10.4W 功耗可实现持久热负载 • 最高工作温度为+150°C,可耐受高温环境
应用
• 适用于自动化系统中的电机驱动门级开关 • 适用于工业电源中的直流-直流转换器 • 用于嵌入式控制模块中的负载切换 • 可用于测试和测量设备的电源管理
它在 PCB 上需要什么安装格式?
它采用表面贴装封装,具有 8 针尺寸,适用于自动装配和紧凑型布局。
栅极电荷值对驱动要求有何影响?
与高 Qg 设备相比,3.5nC 典型栅极电荷意味着栅极驱动能量更低,转换速度更快,从而减少栅极驱动器尺寸和开关损耗。
它能承受的环境温度范围是多少?
它的额定工作温度范围为-55°C至+150°C,可在宽热条件下使用,在该范围内不会降额。
我可以应用的最大栅极到源电压是多少?
该设备可在栅极和源之间接受高达 20 V 的电压,定义允许的驱动振幅,以实现安全操作。
提供哪种机械封装类型的散热功能?
它采用PowerPAK ChipFET封装,有助于实现更高的散热水平。