Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=200 V, 1.8 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SI7464DP-T1-E3

Bulk discount available

Subtotal (1 pack of 5 units)*

¥44.30

(exc. VAT)

¥50.05

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
暂时缺货
  • 2026年7月09日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Units
Per unit
Per Pack*
5 - 45RMB8.86RMB44.30
50 - 95RMB8.416RMB42.08
100 - 245RMB7.994RMB39.97
250 - 995RMB7.596RMB37.98
1000 +RMB7.216RMB36.08

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
256-7387
Mfr. Part No.:
SI7464DP-T1-E3
Brand:
Vishay
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.8A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

PowerPAK SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.024Ω

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

1.12mm

标准/认证

No

汽车标准

Vishay Semiconductor N 通道 200 V (D-S) 快速切换 mosfet 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) 表面安装,其应用为初级侧面开关。

TrenchFET 功率 Mosfets

新型低热阻 powerPAK

封装,薄型 1.07 mm

PWM 经优化,用于快速切换