Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=200 V, 1.8 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SI7464DP-T1-E3
- RS 库存编号:
- 256-7387
- 制造商零件编号:
- SI7464DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥44.30
(不含税)
¥50.05
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB8.86 | RMB44.30 |
| 50 - 95 | RMB8.416 | RMB42.08 |
| 100 - 245 | RMB7.994 | RMB39.97 |
| 250 - 995 | RMB7.596 | RMB37.98 |
| 1000 + | RMB7.216 | RMB36.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7387
- 制造商零件编号:
- SI7464DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.024Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.8A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.024Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.12mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道 200 V (D-S) 快速切换 mosfet 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) 表面安装,其应用为初级侧面开关。
TrenchFET 功率 Mosfets
新型低热阻 powerPAK
封装,薄型 1.07 mm
PWM 经优化,用于快速切换