Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 2.1 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, SI8824EDB-T2-E1, SI8824EDB系列

RS 库存编号:: 256-7399
制造商零件编号:: SI8824EDB-T2-E1
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 2.1 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, SI8824EDB-T2-E1, SI8824EDB系列

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100 - 225	RMB2.091	RMB52.28
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RS 库存编号:: 256-7399
制造商零件编号:: SI8824EDB-T2-E1
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	2.1A
	最大漏源电压 Vd	20V
	系列	SI8824EDB
	包装类型	微型支脚
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	0.175Ω
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	5V
	最大功耗 Pd	0.9W
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	2.7nC
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	高度	0.402mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 2.1A
	最大漏源电压 Vd 20V
	系列 SI8824EDB
	包装类型微型支脚
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 0.175Ω
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 5V
	最大功耗 Pd 0.9W
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.7nC
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	高度 0.402mm
	汽车标准否

Datasheet - SI8824EDB-T2-E1

Vishay SI8824EDB系列MOSFET,20 V最大漏源电压,2.1 A最大连续漏电流 - SI8824EDB-T2-E1

这款 MOSFET 是一款紧凑型 N 通道晶体管,专为电子控制和开关电路中的表面贴装应用而设计。它可在需要适度电流处理和低导通电阻的系统中用作低电压开关或放大器,可在宽环境温度范围内工作,适用于需要小尺寸电源组件的工业环境。

特性和优点：

• 20 V 漏电压可实现低电压开关应用 • 2.1A 连续漏电流支持中等负载电流 • 0.175Ω Rds(on)可减少负载下的传导损耗 • 2.7nC 典型栅极电荷,可实现更快的开关转换 • 0.9W 功耗可在紧凑布局中管理热负载 • 最高额定温度为+150°C,可在高温下运行

应用

• 适用于自动化设备的电机驱动门级 • 适用于工业控制面板的负载切换 • 用于嵌入式电子组件的电源管理 • 可用于测试仪器中的信号电平切换

用于焊接到印刷电路板上提供哪种封装类型?

它采用MICRO FOOT 4引脚表面贴装封装,专为自动装配和密集电路板布局而设计。

该设备在连续操作时的热性能如何?

具有 0.9W 耗散极限和 +150°C 最大接点额定值,热设计应包括PCB铜和散热片,以在额定电流下保持接点温度在安全范围内。

为避免损坏,应遵守哪些栅极驱动限制?

最大栅极到源极电压为 5 V,因此栅极驱动器必须在此范围内,以防止栅极氧化应力。