Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 6.6 A, PowerPAK, 表面安装, 6引脚, SIA108DJ-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 256-7401P
- 制造商零件编号:
- SIA108DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB4.006 |
| 100 - 245 | RMB3.806 |
| 250 - 995 | RMB3.618 |
| 1000 + | RMB3.438 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7401P
- 制造商零件编号:
- SIA108DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.024Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 19W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.6A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.024Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 19W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 0.8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道 80 V (D-S) mosfet 的应用包括初级侧面开关、直流、直流转换器、电动机驱动开关、升压转换器、LED 背光。
TrenchFET gen IV 功率 Mosfet
调谐,用于最低 RDS x Qoss
100% Rg 和 UIS 测试