Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 10.6 A, PowerPAK, 表面安装, 6引脚, SIA483ADJ-T1-GE3

可享批量折扣

小计(1 包,共 25 件)*

¥67.95

(不含税)

¥76.775

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 5,975 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
25 - 25RMB2.718RMB67.95
50 - 75RMB2.582RMB64.55
100 - 225RMB2.454RMB61.35
250 - 975RMB2.33RMB58.25
1000 +RMB2.214RMB55.35

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
256-7405
制造商零件编号:
SIA483ADJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10.6A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.033Ω

最大功耗 Pd

17.9W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

0.8mm

标准/认证

No

汽车标准

Vishay Semiconductor P 通道 30 V (D-S) mosfet iTime 是热增强型 powerPAK SC-70 封装,提供出色的 RDS-Qg 优势 (FOM)

用于切换应用:电池充电和管理、负载开关、直流、直流转换器、电池供电、移动和可穿戴设备中的电源管理。

TrenchFET gen IV p 通道功率 Mosfet

提供出色的 RDS-Qg 优点

用于切换应用

100% Rg 测试

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。