Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 15 A, TO-263, 表面安装

可享批量折扣

小计(1 管,共 50 件)*

¥791.35

(不含税)

¥894.25

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 950 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tube*
50 - 50RMB15.827RMB791.35
100 - 450RMB15.036RMB751.80
500 - 950RMB14.284RMB714.20
1000 +RMB13.57RMB678.50

* 参考价格

RS 库存编号:
256-7410
制造商零件编号:
SIHB15N60E-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

15A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-263

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

0.033Ω

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay Semiconductor E 系列功率 mosfet D2PAK 是最常用的电源设备,由于其低栅极驱动功率、快速切换速度和出色的并行性能。

低功绩 Ron x Qg

低输入电容

减少切换和导电损耗

超低门充电

Avalanche 能量等级