Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 15 A, TO-263, 表面安装, SIHB15N60E-GE3

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RS 库存编号:
256-7411
制造商零件编号:
SIHB15N60E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

15A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-263

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

0.033Ω

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay Semiconductor E 系列功率 mosfet D2PAK 是最常用的电源设备,由于其低栅极驱动功率、快速切换速度和出色的并行性能。

低功绩 Ron x Qg

低输入电容

减少切换和导电损耗

超低门充电

Avalanche 能量等级