Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TO-263, 表面安装

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包装方式:
RS 库存编号:
256-7413P
制造商零件编号:
SIHB24N65E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-263

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

0.033Ω

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay Semiconductor E 系列功率 MOSFET 具有低功率 (FOM) Ron x Qg 和低输入电容 (Ciss)。

减少切换和导电损耗

超低门充电 (Qg)

雪崩能量等级 (UIS)