Vishay N型沟道 功率 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, E系列

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RS 库存编号:
256-7413P
制造商零件编号:
SIHB24N65E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-263

系列

E

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.145Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

122nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

250W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,24 A 最大连续漏电流 - SIHB24N65E-GE3


此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,设计用于电子和工业系统中的开关和电源管理功能。它可在宽温度范围内工作,并采用表面贴装 TO-263 封装,适用于集成到需要处理高电压的占用组件中。

特性和优点：


• 650 V 最大漏源电压,可实现高电压切换
• 24 A 连续排放电流,支持大量负载处理
• 0.145Ω Rds(on),可减少电源路径中的传导损耗
• 250W 功耗,可实现持久热负载
• 122nC 典型栅极电荷,满足可预测的栅极驱动要求
• 30 V 栅极-源额定值提供宽栅极驱动空间

应用


• 适用于高电压电源中的SMPS初级侧切换
• 适用于工业电机驱动前端开关
• 用于自动化系统的高压直流-直流转换
• 可用于焊接或加热控制器中的功率级开关

在大负荷操作中,我应该考虑哪些热限制?


该设备的额定工作温度高达+150°C,额定工作温度低至-55°C,因此需要热管理,如合适的散热器或PCB铜区域,以保持高功耗时的安全接点温度。

栅极电荷如何影响驱动电路选择?


在指定的栅极电压下,典型栅极电荷为 122nC,驱动电路必须提供和吸收足够的电流,以达到所需的开关速度,同时考虑开关损耗和驱动器功率能力。

组装可靠性需要考虑哪些安装因素?


它采用TO-263表面贴装封装,带三个引脚,因此应使用标准回流焊工艺和正确的焊盘设计以确保机械和热连接。

包括哪些环境或法规属性?


该组件符合 RoHS 要求,表明它符合有关危险物质的指定限制。