Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 24.7 A, PowerPAK SO-8, 表面安装
- RS 库存编号:
- 256-7420
- 制造商零件编号:
- SIR120DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥21,345.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB7.115 | RMB21,345.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7420
- 制造商零件编号:
- SIR120DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0095Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 24.7A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0095Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道 80 V (D-S) mosfet 非常低的 RDS x Qg 优点 (FOM),其应用包括同步整流、初级侧面开关、直流、直流转换器、电源、电动机驱动控制、电池和负载开关。
TrenchFET gen IV 功率 Mosfet
非常低的 RDS x Qg 优点数字 (FOM)
调谐用于最低 RDS x Qoss FOM
100% Rg 和 UIS 测试