Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 25 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, SIRA12DP-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 256-7431
- 制造商零件编号:
- SIRA12DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB4.498 | RMB22.49 |
| 50 - 95 | RMB4.274 | RMB21.37 |
| 100 - 245 | RMB4.062 | RMB20.31 |
| 250 - 995 | RMB3.856 | RMB19.28 |
| 1000 + | RMB3.664 | RMB18.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7431
- 制造商零件编号:
- SIRA12DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0095Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0095Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道 30 V 25A (Tc) 4.5W (Ta)、31W (Tc) 表面安装 iTime 无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义,其应用包括高功率密度直流、直流、同步整流、VRM 和嵌入式直流、直流。
TrenchFET gen IV 功率 Mosfet
100% Rg 和 UIS 测试
符合 RoHS 指令 2002/95/EC