Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 8.9 A, powerpir 3 x 3S, 表面安装

可享批量折扣

小计 50 件 (按连续条带形式提供)*

¥359.50

(不含税)

¥406.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,985 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
50 - 95RMB7.19
100 - 245RMB6.832
250 - 995RMB6.488
1000 +RMB6.164

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
256-7437P
制造商零件编号:
SIZ260DT-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.9A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

powerpir 3 x 3S

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

0.0149Ω

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay Semiconductor 双 N 通道 80 V (D-S) MOSFET 的优化 Qgs、Qgs 比提高了切换特性和应用 POL、同步降压转换器、电信直流、直流、谐振转换器、电动机驱动控制。

TrenchFET gen IV 功率 Mosfets

100% Rg 和 UIS 测试

集成 Mosfet 半桥式电源级