Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 8.9 A, powerpir 3 x 3S, 表面安装, 8引脚, SIZ260DT-T1-GE3, SIZ260DT系列
- RS 库存编号:
- 256-7437P
- 制造商零件编号:
- SIZ260DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB8.388 |
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| 250 - 995 | RMB7.568 |
| 1000 + | RMB7.192 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7437P
- 制造商零件编号:
- SIZ260DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | powerpir 3 x 3S | |
| 系列 | SIZ260DT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0247Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8.9A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 powerpir 3 x 3S | ||
系列 SIZ260DT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0247Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.3nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
宽度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SIZ260DT系列MOSFET,80 V漏源电压,8.9 A连续漏电流 - SIZ260DT-T1-GE3
这款 MOSFET 是表面贴装 N 通道晶体管,专为工业电子系统中的开关和电源管理而设计。它可在高温下工作,并支持中等连续电流,因此适用于需要耐热性和电压处理的紧凑型组件。
特性和优点：
• 80V 排放额定值可在中压电路中使用
• 8.9A 连续电流可实现持久负载驱动
• 0.0247Ω Rds(on) 可减少传导损耗
• 6.3nC 典型栅极电荷支持快速切换
• 33W 功耗可实现更高的功率处理
• ±20V 栅极容差可适应不同的栅极驱动范围
• 8.9A 连续电流可实现持久负载驱动
• 0.0247Ω Rds(on) 可减少传导损耗
• 6.3nC 典型栅极电荷支持快速切换
• 33W 功耗可实现更高的功率处理
• ±20V 栅极容差可适应不同的栅极驱动范围
应用
• 适用于自动化设备中的直流-直流转换器
• 适用于工业驱动器中的电机驱动器级
• 用于控制模块中的电源开关
• 可用于电池管理中的负载切换
• 适用于电气系统中的紧凑型SMD电源组件
• 适用于工业驱动器中的电机驱动器级
• 用于控制模块中的电源开关
• 可用于电池管理中的负载切换
• 适用于电气系统中的紧凑型SMD电源组件
它在运行过程中可承受哪些极端温度?
它的额定工作温度低至-55°C和高达+150°C,可在热波动较大的环境中使用。
封装形式如何影响PCB布局?
PowerPAIR 3x3S SMD 封装,带八个引脚,集中功率和信号引脚,用于短热路径和简单的热垫设计。
此设备是否适用于汽车应用?
它未指定符合汽车标准,因此不应选择需要正式汽车级认证的应用。
该设备的引脚数对电路设计有何益处?
八针排列将栅极和源连接与电源路径分开,从而简化栅极驱动路由和热管理。