Vishay N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=16 A, PowerPAIR
- RS 库存编号:
- 256-7439
- 制造商零件编号:
- SIZ918DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 50 - 95 | RMB16.948 | RMB84.74 |
| 100 - 245 | RMB16.102 | RMB80.51 |
| 250 - 995 | RMB15.296 | RMB76.48 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7439
- 制造商零件编号:
- SIZ918DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAIR | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0149Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAIR | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0149Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor mosfet 阵列 2 N 通道(半桥接)30V 16A、28A 29W、100W,其应用为笔记本电脑系统电源、POL、同步降压转换器。
TrenchFET 功率 Mosfets
100% Rg 和 UIS 测试
表面安装在 1 x 1 FR4 板上
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