Vishay N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=120 A, TO-263

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包装方式:
RS 库存编号:
256-7445P
制造商零件编号:
SQM120N04-1M7L_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

0.0149Ω

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay Semiconductor 汽车 N 通道 40 V (D-S) 175 °C mosfet 120A (Tc) 375W (Tc) 具有 TO-263 封装类型的表面安装。

TrenchFET 功率 Mosfet

封装具有低热阻

100% Rg 和 UIS 测试

AEC-Q101 认证

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