Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=150 V, 27 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列

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257-5525
制造商零件编号:
IRFH5215TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

27A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

HEXFET

包装类型

PQFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

58mΩ

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最大功耗 Pd

104W

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

150°C

高度

0.9mm

标准/认证

RoHS

宽度

5 mm

长度

6mm

汽车标准

Infineon strongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS 和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合,应用广泛,包括直流电机、电池管理系统、变频器和直流对直流转换器。

低 RDSon (< 58 m)

对印刷电路板的低热阻(<12°C/W)

100% Rg 测试

薄型(<09 mm)

工业标准引脚输出

与现有的表面贴装技术兼容

符合 RoHS 标准,无铅、无氯化物、无卤

MSL1,符合工业要求