Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5548
- 制造商零件编号:
- IRFR7446TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5548
- 制造商零件编号:
- IRFR7446TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.9mΩ | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 98W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 65nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.9mΩ | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 98W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 增强了栅极、雪崩和动态 dV/dt 稳健性，可用于 OR-ing 和冗余电源开关、直流/直流和交流/直流转换器、直流/交流变频器。
完全特性化的电容和雪崩 SOA
增强型主体二极管 dv/dt 和 dI/dt 功能
无铅