Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 110 A, DPAK, PCB安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5550
- 制造商零件编号:
- IRFR7540TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥8,904.00
(不含税)
¥10,062.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | RMB4.452 | RMB8,904.00 |
| 4000 + | RMB4.363 | RMB8,726.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5550
- 制造商零件编号:
- IRFR7540TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 110 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | PCB | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 110 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 DPAK | ||
安装类型 PCB | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 具有改进的门、雪崩和动态 dV/dt 坚固性以及完全特性化的电容和雪崩 SOA。
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能
无铅，符合 RoHS 标准
无铅，符合 RoHS 标准