Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=200 V, 72 A, TO-262, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5554
- 制造商零件编号:
- IRFS4127TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 + | RMB12.50 | RMB10,000.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5554
- 制造商零件编号:
- IRFS4127TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 72A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-262 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18.6mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 100nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 72A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-262 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 18.6mΩ | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 100nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 具有改进的门、雪崩和动态 dV/dt 坚固性以及完全特性化的电容和雪崩 SOA。
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能
无铅
在 SMPS 中进行高效同步整流
不间断电源