Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 120 A, TO-263, PCB安装, IRFB3307PBF
- RS 库存编号:
- 257-5799
- 制造商零件编号:
- IRFB3307PBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 20 - 48 | RMB14.71 | RMB29.42 |
| 50 - 98 | RMB14.42 | RMB28.84 |
| 100 + | RMB12.055 | RMB24.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5799
- 制造商零件编号:
- IRFB3307PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | PCB安装 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.3mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 PCB安装 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.3mΩ | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon strongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化后具有低导通电阻 RDS(on)和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合，应用广泛，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。
经优化，可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
工业标准通孔电源封装
高额定电流