Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 110 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5806P
- 制造商零件编号:
- IRFR7540TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB4.32 |
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| 250 - 995 | RMB4.104 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5806P
- 制造商零件编号:
- IRFR7540TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.8mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 140W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 86nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 140W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 86nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 具有改进的门、雪崩和动态 dV/dt 坚固性以及完全特性化的电容和雪崩 SOA。
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能
无铅，符合 RoHS 标准