Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 1.9 A, SOT-223, 表面安装, HEXFET Fifth Generation系列
- RS 库存编号:
- 257-5817P
- 制造商零件编号:
- IRFL014NTRPBF
- 制造商:
- Infineon
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB1.905 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5817P
- 制造商零件编号:
- IRFL014NTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET Fifth Generation | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.16Ω | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.1W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | Lead-Free | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.9A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET Fifth Generation | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.16Ω | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC | ||
最大功耗 Pd 2.1W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 Lead-Free | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 是来自 International Rectifier 的第五代 HEXFET，采用先进的处理技术，可实现极低的导通电阻。
适用于宽安全工作区（SOA）的平面单元结构
经优化，可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品经认证符合 JEDEC 标准
硅优化用于以下切换应用<100kHz
工业标准表面贴装