Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 17 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5825P
- 制造商零件编号:
- IRFR024NTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB3.45 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5825P
- 制造商零件编号:
- IRFR024NTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.075Ω | |
| 标准/认证 | Lead-Free | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-40-533 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 17A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.075Ω | ||
标准/认证 Lead-Free | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-40-533 | ||
Infineon IR MOSFET 系列电源 MOSFET 利用成熟的硅工艺，为设计人员提供广泛的器件组合，适合于各种应用，如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件采用工业标准尺寸，可进行各种表面贴装和通孔封装。
平面电池结构，用于宽 SOA
经过优化，可从分销合作伙伴那里获得最广泛的产品供应
产品符合 JEDEC 标准
针对以下开关应用对硅进行了优化 <100kHz
工业标准表面贴装