Infineon P型沟道 MOSFET, Vds=-30 V, -21 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IRFH9310TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5834
- 制造商零件编号:
- IRFH9310TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB8.122 | RMB40.61 |
| 50 - 95 | RMB7.878 | RMB39.39 |
| 100 - 495 | RMB7.486 | RMB37.43 |
| 500 - 1995 | RMB6.96 | RMB34.80 |
| 2000 + | RMB6.334 | RMB31.67 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5834
- 制造商零件编号:
- IRFH9310TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -21A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.7mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 3.1W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 58nC | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 6 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 0.39mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -21A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.7mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 3.1W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 6 mm | ||
长度 5mm | ||
高度 0.39mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon strongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化后具有低导通电阻 RDS(on)和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合，应用广泛，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。
工业标准表面安装电源封装
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于以下切换应用 <100 kHz
与之前的硅一代相比，主体二极管更柔软
提供广泛的产品组合