制造商编号

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=85 V, 42 A, TO-252, 表面安装, IRFR2407TRPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 257-5841
Distrelec 货号:: 304-40-537
制造商零件编号:: IRFR2407TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=85 V, 42 A, TO-252, 表面安装, IRFR2407TRPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 257-5841
Distrelec 货号:: 304-40-537
制造商零件编号:: IRFR2407TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	42A
	最大漏源电压 Vd	85V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	26mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	74nC
	最大功耗 Pd	110W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 42A
	最大漏源电压 Vd 85V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 26mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 74nC
	最大功耗 Pd 110W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IRFR2407TRPBF

Infineon IR MOSFET 系列电源 MOSFET 利用成熟的硅工艺，为设计人员提供广泛的器件组合，适合于各种应用，如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件采用工业标准尺寸，可进行各种表面贴装和通孔封装。

平面电池结构，用于宽 SOA

经过优化，可从分销合作伙伴那里获得最广泛的产品供应

产品符合 JEDEC 标准

针对以下开关应用对硅进行了优化 <100kHz

工业标准表面贴装

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=85 V, 42 A, TO-252, 表面安装, IRFR2407TRPBF, HEXFET系列

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