Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 375 A, DirectFET, PCB安装, IRL7472L1TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5861
- 制造商零件编号:
- IRL7472L1TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB22.60 | RMB45.20 |
| 50 - 98 | RMB21.925 | RMB43.85 |
| 100 - 498 | RMB20.825 | RMB41.65 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5861
- 制造商零件编号:
- IRL7472L1TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 375A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 安装类型 | PCB安装 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.4mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 375A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 DirectFET | ||
安装类型 PCB安装 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.4mΩ | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon strongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS 和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合，应用广泛，包括直流电机、电池管理系统、变频器和直流对直流转换器。
经优化后可从分销合作伙伴处获得最广泛的产品供应
产品符合 JEDEC 标准
高额定电流
双面冷却能力
封装高度仅 0.7mm
低寄生 (1-2 nH) 电感封装
100% 无铅 (无 RoHS 豁免)