Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=79 A, TO-220, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9267
- 制造商零件编号:
- IRF1018ESTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 257-9267
- 制造商零件编号:
- IRF1018ESTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 79A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.4mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 79A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.4mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是 60V 单 n 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 D2 Pak 封装。
改进的门、雪崩和动态 dv/dt 坚固性
完全特性化的电容和雪崩 SOA
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能
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