Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 79 A, TO-220, 表面安装, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
257-9268P
制造商零件编号:
IRF1018ESTRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

79A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

8.4mΩ

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

46nC

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

110W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

Distrelec Product Id

304-40-513

Infineon IRF 系列是 60V 单 n 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 D2 Pak 封装。

改进的门、雪崩和动态 dv/dt 坚固性

完全特性化的电容和雪崩 SOA

增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能