制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 4针, TO-220, HEXFET系列

RS 库存编号:: 257-9269
制造商零件编号:: IRF1104PBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 4针, TO-220, HEXFET系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 管，共 50 件）*

RMB461.25

(不含税)

RMB521.20

(含税)

有库存

另外 700 件在 2026年9月28日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB9.225	RMB461.25
100 - 450	RMB8.949	RMB447.45
500 - 950	RMB8.77	RMB438.50
1000 - 2950	RMB8.594	RMB429.70
3000 +	RMB8.422	RMB421.10

* 参考价格

RS 库存编号:: 257-9269
制造商零件编号:: IRF1104PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	0.009Ω
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	93nC
	最大功耗 Pd	170W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 0.009Ω
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 93nC
	最大功耗 Pd 170W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IRF1104PBF

登录下载 CAD 模型

Infineon IRF 系列是 40V 单 n 通道功率 Mosfet,采用 TO 220 封装。

平面电池结构,用于宽 SOA

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用

工业标准表面安装电源封装

高额定电流

相关链接