Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 4引脚, HEXFET系列
- RS Stock No.:
- 257-9270P
- Mfr. Part No.:
- IRF1104PBF
- Brand:
- Infineon
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- Mfr. Part No.:
- IRF1104PBF
- Brand:
- Infineon
Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.009Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 170W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 93nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.009Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 170W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 93nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是 40V 单 n 通道功率 Mosfet,采用 TO 220 封装。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装电源封装
高额定电流