Infineon N沟道MOSFET, Vds=55 V, Id=131 A, TO-263, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9276P
- 制造商零件编号:
- IRF1405STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 45 | RMB13.94 |
| 50 - 95 | RMB13.664 |
| 100 - 245 | RMB11.762 |
| 250 + | RMB11.526 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9276P
- 制造商零件编号:
- IRF1405STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 131A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.3mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 170nC | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 131A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.3mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 170nC | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是 55V 单 n 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 D2 Pak 封装。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装电源封装
可波焊