Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=-40 V, -3.4 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
257-9291
制造商零件编号:
IRF5803TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-3.4A

最大漏源电压 Vd

-40V

系列

HEXFET

包装类型

TSOP-6

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

190mΩ

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.3W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Infineon IRF 系列是 -40V 单 p 通道功率 Mosfet,采用 TSOP 6 (Micro 6) 封装。红外 MOSFET 系列的功率 MOSFET 利用经验证的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些设备提供各种表面安装和通孔封装,具有工业标准印迹,易于设计。

平面电池结构,用于宽 SOA

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用

工业标准表面安装电源封装