Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, -9 A, SO-8, 8引脚, IRF7324TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9303
- 制造商零件编号:
- IRF7324TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB7.244 | RMB36.22 |
| 50 - 95 | RMB7.026 | RMB35.13 |
| 100 - 495 | RMB6.678 | RMB33.39 |
| 500 - 1995 | RMB6.208 | RMB31.04 |
| 2000 + | RMB5.648 | RMB28.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9303
- 制造商零件编号:
- IRF7324TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18mΩ | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id -9A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 18mΩ | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
高度 1.75mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是 -20V 双 p 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 SO 8 封装。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装电源封装
可波焊