Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 10 A, SO-8, 通孔安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9312P
- 制造商零件编号:
- IRF7470TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB7.512 |
| 100 - 495 | RMB7.138 |
| 500 - 1995 | RMB6.638 |
| 2000 + | RMB6.04 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9312P
- 制造商零件编号:
- IRF7470TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 SO-8 | ||
安装类型 通孔 | ||
Infineon IRF 系列是 40V 单 n 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 SO 8 封装。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装电源封装
可波焊
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装电源封装
可波焊