制造商编号

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 217 A, DirectFET, 表面安装, HEXFET系列

RS 库存编号:: 257-9314P
制造商零件编号:: IRF7480MTRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 217 A, DirectFET, 表面安装, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 257-9314P
制造商零件编号:: IRF7480MTRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	217A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	DirectFET
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	1.2mΩ
	最大功耗 Pd	96W
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	123nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 217A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 DirectFET
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ
	最大功耗 Pd 96W
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 123nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IRF7480MTRPBF

Infineon IRF 系列是 40V 单 n 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用直接 FET ME 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。最终应用包括无绳电源和园艺工具、轻型电动车辆和电动自行车,需要高水平的坚固性和能效。

双侧冷却能力

低封装高度为 0.7mm

低寄生(1 至 2 nH)电感封装

100% 无铅(无 ROHS 豁免)

硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用

产品符合 JEDEC 标准

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 217 A, DirectFET, 表面安装, HEXFET系列

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