Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 148 A, 直接 FET 大容器, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 257-9315
- 制造商零件编号:
- IRF7748L1TRPBF
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- 257-9315
- 制造商零件编号:
- IRF7748L1TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 148 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | 直接 FET 大容器 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 148 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 直接 FET 大容器 | ||
安装类型 通孔 | ||
Infineon IRF 系列是 60V 单 n 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用直接 FET L6 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
高额定电流
双侧冷却能力
低封装高度为 0.7mm
低寄生(1 至 2 nH)电感封装
100% 无铅(无 RoHS 豁免)
产品符合 JEDEC 标准
高额定电流
双侧冷却能力
低封装高度为 0.7mm
低寄生(1 至 2 nH)电感封装
100% 无铅(无 RoHS 豁免)