制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=80 A, TO-220, HEXFET系列

RS 库存编号:: 257-9325
制造商零件编号:: IRF8010PBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=80 A, TO-220, HEXFET系列

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单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB10.533	RMB526.65
100 - 450	RMB10.217	RMB510.85
500 - 950	RMB9.707	RMB485.35
1000 - 4950	RMB9.027	RMB451.35
5000 +	RMB8.756	RMB437.80

* 参考价格

RS 库存编号:: 257-9325
制造商零件编号:: IRF8010PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	80A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	最大漏源电阻 Rd	15mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	81nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 80A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	最大漏源电阻 Rd 15mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 81nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IRF8010PBF

Infineon IRF 系列是 100V 单 n 通道功率 Mosfet,采用 TO 220 封装。红外 MOSFET 系列的功率 MOSFET 利用经验证的硅工艺,为设计人员提供广泛的设备组合,以支持各种应用,如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些设备提供各种表面安装和通孔封装,具有工业标准印迹,易于设计。

平面电池结构,用于宽 SOA

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用

工业标准通孔电源封装

高额定电流

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=80 A, TO-220, HEXFET系列

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