Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=-30 V, -9.2 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, IRF9393TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9338P
- 制造商零件编号:
- IRF9393TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥142.70
(不含税)
¥161.25
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 7,980 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB2.854 |
| 100 - 490 | RMB2.712 |
| 500 - 1990 | RMB2.522 |
| 2000 + | RMB2.295 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9338P
- 制造商零件编号:
- IRF9393TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -9.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 32.5mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id -9.2A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 32.5mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是 -30V p 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用 SO 8 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
工业标准表面安装封装
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用