Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 170 A, TO-220AB, 通孔安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9345P
- 制造商零件编号:
- IRFB3207ZPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB19.99 |
| 20 - 48 | RMB19.61 |
| 50 - 98 | RMB19.225 |
| 100 + | RMB16.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9345P
- 制造商零件编号:
- IRFB3207ZPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 170 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 170 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
Infineon IRFB 系列是 75V 单 n 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用 TO 220 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
工业标准通孔电源封装
高额定电流
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
与之前的硅一代相比,主体二极管更柔软
提供广泛的产品组合
高额定电流
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
与之前的硅一代相比,主体二极管更柔软
提供广泛的产品组合