Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=95 A, TO-220, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
257-9365P
制造商零件编号:
IRFB7545PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

95A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

最大漏源电阻 Rd

5.90mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

+175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,60V 最大漏源电压,95A 最大连续漏电流 - IRFB7545PBF


这款 MOSFET 是一款通孔 N 沟道功率晶体管,专为开关和高电流应用而设计。它以增强模式运行,适用于需要宽工作温度范围的环境。该设备采用 TO-220 封装,符合 RoHS 要求,适用于需要符合无铅标准的组件。

特性和优点:


• 5.9mΩ Rds(on),可降低传导损耗
• 60V Vds,支持中等电压切换能力
• 95A 持续漏极电流,支持大电流负载
• -55°C 至 175°C 额定值,适用于扩展工作温度
• 1.3V正向电压,可减少二极管传导降压

应用


• 适用于需要高电流开关的电源
• 适用于工业控制器的电机驱动级
• 用于高温电路的热管理
• 可用于通用功率晶体管更换
• 用于通孔原型设计和耐用组件

它采用什么封装和安装方式?


它采用TO-220封装,专为通孔安装而设计。

提供哪些通道类型和操作模式?


该设备是一款以增强模式运行的 N 通道晶体管。

它是否符合汽车标准要求?


它未指定符合汽车标准分类。

包含哪些环境指令合规性?


该组件符合RoHS对受限物质的要求。

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