Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 17 A, PQFN, 表面安装, HEXFET系列
- RS Stock No.:
- 257-9371P
- Mfr. Part No.:
- IRFH5007TRPBF
- Brand:
- Infineon
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- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.9mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 65nC | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6mm | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 17A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.9mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65nC | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6mm | ||
宽度 5 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRFH 系列是 75V 单 n 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用 PQFN 5x6 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
工业标准表面安装电源封装
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
与之前的硅一代相比,主体二极管更柔软
提供广泛的产品组合