Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 3.2 A, PQFN, 通孔安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9386
- 制造商零件编号:
- IRFHM3911TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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¥8,112.00
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9386
- 制造商零件编号:
- IRFHM3911TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.2A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 通孔 | ||
最大漏源电阻 Rd 15mΩ | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRFHM 系列是 100V 单 n 通道 IR mosfet,采用 PQFN 3.3x3.3 封装。红外 MOSFET 系列的功率 MOSFET 利用经验证的硅工艺,为设计人员提供广泛的设备组合,以支持各种应用,如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些设备提供各种表面安装和通孔封装,具有工业标准印迹,易于设计。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装封装
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装封装