Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 21 A, PQFN, 通孔安装, IRFHM830TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9389P
- 制造商零件编号:
- IRFHM830TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB3.951 |
| 100 - 490 | RMB3.871 |
| 500 - 1990 | RMB3.794 |
| 2000 + | RMB3.718 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9389P
- 制造商零件编号:
- IRFHM830TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 37W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
最大漏源电阻 Rd 15mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 37W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRFHM 系列是 30V 单 n 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用 PQFN 3.3x3.3 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
工业标准表面安装封装
高 RDS(接通)超级 SO 8 封装的潜在替代品