Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=-30 V, -5.1 A, PQFN, 表面安装, 6引脚, HEXFET系列

小计(1 卷,共 4000 件)*

¥6,996.00

(不含税)

¥7,904.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年3月23日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每卷*
4000 +RMB1.749RMB6,996.00

* 参考价格

RS 库存编号:
257-9391
制造商零件编号:
IRFHS9351TRPBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-5.1A

最大漏源电压 Vd

-30V

系列

HEXFET

包装类型

PQFN

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

290mΩ

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

1.4W

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.9nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

高度

0.9mm

宽度

2 mm

长度

2mm

汽车标准

Infineon IRFHS 系列是 -30V 双 p 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用 PQFN 2x2 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

工业标准表面安装电源封装

低 RDS(接通),采用小型封装